SimoneSOI（硅技术）
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SOI（Silicon-On-Insulator）即绝缘衬底上的硅，通过在硅衬底顶部与基底层之间嵌入埋氧化层实现元器件介质隔离。该技术可减少寄生电容，提升运行速度20-35%，降低功耗35-70% ，并消除体硅CMOS电路的寄生闩锁效应。主要结构分为薄膜全耗尽（FD）和厚膜部分耗尽（PD）两类，其中FD结构具有低电场、良好短沟道特性等优势 。
SOI材料包括SIMOX、BESOI和Smart Cut三种类型，其中Smart Cut被认为是未来主流 。应用于集成电路制造领域时，可简化工艺流程并兼容现有硅技术，同时可用于制造MEMS光开关等微机电系统。IBM、AMD等企业推动其发展，而Intel因担忧晶圆质量等问题未采用该技术 。
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